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首页 > 电子元器件与信息技术 > 场效应器件 > SJ 20011-1992
     
 

【SJ 20011-1992】 半导体分立器件 GP,GT和GCT级 CS1型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范

 
 
标准号: SJ 20011-1992
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标准名称: 半导体分立器件 GP,GT和GCT级 CS1型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范
纸书定价: 询价
   
   
 
 
标准简介:


 
     
 
标准号: SJ 20011-1992
标准中文名: 半导体分立器件 GP,GT和GCT级 CS1型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范
标准英文名: Semiconductor discrete device Detail specification for silicon N-channel depletion mode field-effect transistor of types CS1 GP, GT and GCT classes
替代标准:
开本:
页数: 8
字数:
ICS:
中标分类号: L44
采用标准:
归口单位:
起草单位: SJ
发布单位:
发布日期: 1992
实施日期: 920501
作废日期:
标准个数:
作者:
出版社:
翻译:
目录:
是否有效: 现行有效
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