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【GB/T 14863-1993】 用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法
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| 标准号： |
GB/T 14863-1993 |
该书一般在1-2天内发货 |
| 标准名称： |
用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法 |
| 纸书定价： |
10元
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标准简介：
本标准规定了用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的原理、仪器与材料、样品制备、测量步骤和数据处理。本标准适用于外延层厚度不小于某一最小厚度值(见附录Ｂ)的相同或相反导电类型衬底上的n型或p型外延层，也适用于体材料。
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| 标准号： |
GB/T 14863-1993 |
| 标准中文名： |
用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法 |
| 标准英文名： |
Standard test method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes |
| 替代标准： |
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| 开本： |
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| 页数： |
12 |
| 字数： |
19千字 |
| ICS： |
UDC 621.38 |
| 中标分类号： |
L41 |
| 采用标准： |
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| 归口单位： |
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| 起草单位： |
GB |
| 发布单位： |
国家技术监督局 |
| 发布日期： |
1993-12-30 |
| 实施日期： |
1994-10-1 |
| 作废日期： |
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标准个数： |
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| 作者： |
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| 出版社： |
中国标准出版社 |
| 翻译： |
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| 目录： |
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| 是否有效： |
现行有效 |
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